Samsung calienta motores de cara al Mobile World Congress que se celebrará en Barcelona en apenas unas semanas anunciando que ya ha iniciado la producción en masa de chips NAND eUFS 2.1 de 1TB de capacidad.

Estos chips que están destinados para móviles de próxima generación suponen el aumento natural de las capacidades de almacenamiento para los terminales que veremos durante este año y el próximo, ya que desde ahora será posible comercializar terminales con 1TB de memoria interna.

Hasta ahora el límite de memoria en dispositivos de alta gama era de 512GB, pero hoy en día ya es bastante habitual ver modelos de gama media con 64GB o 128GB, los cuales con el tiempo también darán paso a los 256GB si comienzan a ser más asequibles para los fabricantes.

El nuevo modelo fabricado bajo la tecnología V-NAND, es capaz de ofrecer una velocidad máxima de lectura de 1000 MB/s según Samsung, mientras que la escritura queda en unos nada despreciables 260 MB/s. Esto permitirá según el fabricante surcoreano grabar vídeo hasta 960 FPS en los nuevos modelos de móviles del futuro.

Por ahora Samsung no desvela si alguno de sus nuevos terminales incorporará este nuevo récord en cuanto a almacenamiento, pero todo parece indicar que los nuevos Galaxy S podrían salir beneficiados de está nueva memoria.

Comentarios