La división de fabricación de Samsung ha revelado hoy dos nuevos nodos de fabricación. Se trata de los nuevos nodos 11nm LPP (Low Power Plus) FinFET y el 7nm LPP FinFET, este último contará además con la tecnología EUV (Extreme Ultra Violet).
11nm LPP es un nuevo proceso que se ha logrado mediante la ampliación de su actual proceso de 14nm LPP. Este nuevo nodo ofrece hasta un 10% de reducción de área del chip y un 15% más de rendimiento con el mismo consumo de energía. Este proceso se comercializará junto a 10nm, destinados a procesadores móviles premium, mientras que 11nm se espera que traiga más valor para el valor de los dispositivos inteligentes de gama media y gama alta.
También se ha confirmado que Samsung ha desarrollado su 7nm nuevo nodo LPP FinFET EUV, el cual cuenta con una planificación para iniciar la producción en la segunda mitad de 2018. Desde 2014 Samsung ha procesado casi 200.000 obleas utilizando litografía EUV, por lo que es esperable que la empresa cuente ya con suficiente experiencia para hacer una éxito de su tecnología EUV.
 

“7LPP (7nm Low Power Plus): 7LPP será la primera tecnología de proceso de semiconductores en utilizar una solución de litografía EUV, concretamente 250W de potencia máxima EUV, que es el hito más importante en la inserción EUV en la producción de alto volumen. Esto ha sido desarrollado gracias a los esfuerzos de Samsung y ASML en colaboración. El despliegue de la litografía de EUV romperá las barreras de la escala de la ley de Moore, pavimentando los primeros pasos del semiconductor de un solo nanómetro.”

 

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