Samsung se posiciona como un gigante de la tecnología en la industria, con campos que se extienden hacia casi todos los sectores imaginables del mercado de consumidores y profesionales. Es también una de las compañías que puede traer la pelea a Intel cuando se trata de fabricación de semiconductores, con algunos analistas prediciendo que Corea del Sur destronará a Intel como el primer fabricante de chips en el segundo trimestre de este año.
Samsung se desplaza desde los centros de datos de hiper-escala hasta el Internet-de-cosas, y se establece para liderar la industria con 8nm, 7nm, 6nm, 5nm, 4nm y 18nm FD-SOI en su más reciente hoja de ruta de tecnología de nodo de procesos. La nueva hoja de ruta de Samsung muestra lo comprometida que está la compañía (y la industria con ella) para permitir el máximo rendimiento posible del potencial agotamiento medio del silicio.  De hecho se espera que el proceso de estructura de 4 nm “post FinFET” esté en producción sobre el año 2020.
Este anuncio también marca la reiteración de Samsung sobre el uso de la tecnología EUV (Extreme Ultra Violet) para la fabricación de obleas, una tecnología que ha sido aclamada como el salvador de procesos más densos, pero finalmente ha sido expulsada de la adopción del mercado debido a su complejidad. Kelvin Low, director senior de marketing en Samsung, dijo que el “número mágico” para la productividad (como en, con una relación de inversión / retorno sostenible) con EUV es de 1.500 obleas por día. Samsung ya ha superado las 1.000 obleas por día y tiene un alto grado de confianza de que 1.500 obleas por día son alcanzables.
 

 
Las nuevas tecnologías y soluciones en nodos de fabricación de Samsung presentadas en el foro anual de fundición de Samsung incluyen:
 
8LPP (8nm Low Power Plus)
8LPP proporciona el beneficio de escalado más competitivo antes de la transición a la litografía EUV (Extreme Ultra Violet). Combinando las innovaciones clave de proceso de la tecnología de 10nm de Samsung, 8LPP ofrece beneficios adicionales en las áreas de rendimiento y densidad de puerta en comparación con 10LPP.
 
7LPP (7nm Low Power Plus)
7LPP será la primera tecnología de proceso de semiconductores en utilizar una solución de litografía EUV. 250W de potencia máxima EUV, que es el hito más importante para la inserción EUV en la producción de alto volumen, fue desarrollado por los esfuerzos de colaboración de Samsung y ASML. El despliegue de litografía EUV romperá las barreras de la escala de ley de Moore, allanando el camino para las generaciones de tecnología de semiconductores de nanómetro único.
 
6LPP (6nm Low Power Plus)
6LPP adoptará las únicas soluciones de Escala Inteligente de Samsung, que se incorporarán a la tecnología 7LPP basada en EUV, lo que permitirá mayores escalas de área y beneficios de energía ultrabaja.
 
5LPP (5nm Low Power Plus)
5LPP extiende el límite de escala físico de la estructura FinFET mediante la implementación de innovaciones tecnológicas de la próxima generación de procesos, 4LPP, para una mejor reducción de escala y reducción de potencia.
 
4LPP (4nm Low Power Plus)
4LPP será la primera implementación de la próxima generación de dispositivos de arquitectura – MBCFETTM estructura (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM es la única GAAFET de Samsung (Gate All Around FET) que utiliza un dispositivo Nanosheet para superar las limitaciones físicas y las limitaciones de rendimiento de la arquitectura FinFET.
 

FD-SOI

Bien adaptado para aplicaciones IoT, Samsung ampliará gradualmente su tecnología 28FDS en una oferta de plataforma más amplia mediante la incorporación de opciones RF (Radio Frecuencia) y eMRAM (Magnetic Random Access Memory). 18FDS es el nodo de la próxima generación en la hoja de ruta FD-SOI de Samsung con potenciado PPA (Power / Performance / Area).