Samsung ha sorprendido con el anuncio de nuevos módulos SoDIMM fabricados con RAM a 10nm que alcanzan los 32 GB de capacidad a velocidades DDR4-2666, este es el primer modulo en este formato que alcanza estas capacidades y supone poder doblar la capacidad con un consumo un 39% menor a soluciones anteriores.
Estos nuevos módulos reemplazarán a los precursores de 16GB basados en memorias RAM a 20nm con chips de 8Gb, ya que gracias a los 16 chips de 16Gb DDR4 utilizados divididos entre las dos caras de los nuevos módulos los equipos portátiles podrán alcanzar capacidades de memoria RAM mucho mayores. Ya que en la practica un modelo de portátil con estos módulos podrá montar 64GB con solamente dos de ellos, o 128GB si dispone de cuatro ranuras.
Estos nuevos módulos solo son el principio de la agresiva campaña de Samsung en cuanto a DRAM a 10nm, ya que se está preparando también memoria GDDR5 y DDR4 en chips de 16Gb (estos módulos equipan LPDDR4) para ofrecerse en otros mercados como tarjetas gráficas o memoria RAM para equipos de sobremesa.
 

Comentarios