SK Hynix ha presentado hoy el primer chip 3D NAND de 72 capas de 256Gb basado en su diseño TLC (Triple-Level Cell), un aumento de capas por chip que aportara un 30% de mejora de producción con las fabricas ya existentes mientras que el rendimiento de lectura y escritura aumentara en un 20% gracias a esta nueva tecnología.
SK Hynix lanzaba su 3D NAND de 36 capas y 128 el pasado abril de 2016, para más tarde pasar al diseño de 48 capas y 256Gb en noviembre del mismo año, cada cinco meses SK Hynix nos ha sorprendido con una mejora de su proceso de fabricación y no tardaremos mucho en ver los chips de 512Gb 3D NAND de 72 capas en producción, seguramente a finales de año. El vice presidente de SK Hynix Jong Ho Kim ha comparado este nuevo diseño con construir cuatro billones de rascacielos en una moneda:
 
“The technological achievement of this 72-Layer 256 Gb 3D NAND compares figuratively to the difficulty of approximately 4 billion 72-storied skyscrapers on a dime.”
“With the introduction of this industry’s highest productivity 3D NAND, SK Hynix will mass produce the 256Gb 3D NAND in the second half of this year to provide this to worldwide business clients for optimum use in storage solutions,”
“The company plans to expand the usage of the product to SSDs and mobile gadgets such as smart phones to further improve its business structure weighted towards DRAM”
 
Para los más despistados, este tipo de avance supone un nuevo paso hacia dispositivos de almacenamiento más pequeños y un aumento de la capacidad de los mismos cuando se siga avanzando.