Toshiba anunció su nueva memoria, apilada verticalmente, 3D QLC-NAND Flash. Esta nueva NAND sería capaz de almacenar más datos en menos celdas, por lo que desde esa perspectiva, supone una mejora interesante respecto a la anterior TLC NAND Flash (triple bit por celda). Pues bien, hoy Toshiba ha anunciado que la nueva memoria de cuádruple bit por celda, QLC NAND, podrá ser escrita mil veces, una cifra similar a la presentada por las memorias TLC NAND.
Las nuevas memorias QLC-NAND Flash se basa en 64 capas apiladas de celdas NAND capaces de producir una capacidad de 768 gigabit, permitiendo así 1,5TB por paquete. Esto significaría que este tipo de memoria NAND traerá consigo un incremento en el tamaño de almacenamiento disponible, mientras que a la vez contiene los costes.
 

 
Básica este tipo de NAND podrá escribir 4 bits por celda, algo que suele afectar a la durabilidad de la celda, pues a mayor número de bits menor suele ser la vida útil de escritura de los mismos. En la tecnología TLC (triple bit por celda), algunos mecanismos como la corrección de errores han incrementado la vida útil de las unidades SSD, por eso podemos ver unidades de 500GB TLC capaces de soportar 300TB escritos antes de que la celda NAND empiece a fallar.
Saber como Toshiba ha alcanzado 1000 ciclos P/E es un misterio, aunque quizás pueda ser debido a un incremento del tamaño de las celdas NAND, pero si consiguen aumentar el tamaño de las unidades y mantener o inclusive alargar la vida de las mismas, bienvenido sea.
 

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