Por si los problemas de demanda ya no fueran los suficientemente graves para la memoria NAND, un nuevo accidente en la fabrica de Samsung situada en Pyeongtaek debido a un corte eléctrico ha provocado que entre 50.000 y 60.000 waffers hayan resultado dañados e irrecuperables. Estos waffers de silicio albergaban memoria V-NAND de última generación del fabricante, representando el 11% de la producción mensual para Samsung o el 3.5% de la producción mensual mundial de este tipo de memoria.
Este “pequeño” incidente muy probablemente provocará una nueva ligera subida en el precio de algunos de los productos que utilizan este tipo de memoria, como pueden ser SSD o teléfonos móviles que hacen uso de uno o varios chips de esta clase para su almacenamiento.
Samsung se encuentra este año mejorando su fabrica China en Xi’an, lo cual permitirá pasar de una producción mensual de 120.000 waffers a casi triplicar la cantidad hasta los 320.000 waffers. Lo cual debería provocar junto a otras mejoras del mercado un alivio sistematico del mercado de productos basados en memoria NAND de cara a finales de año, debido a la menor escasez de este tipo de producto, aunque los rumores acerca de cada vez mayor escasez de waffers de silicio acechan al mercado de forma constante.
Algunos medios señalan también que la producción de memoria GDDR5 también se habría visto afectada por este incidente, por lo que tampoco deberíamos descartar una subida de precios para los productos basados en GDDR5 como pueden ser la mayoría de tarjetas gráficas del mercado.
 

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